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GS66516B-E01-MR
GS66516B-E01-MR
型号：
GS66516B-E01-MR
制造商：
GaN Systems
客户编号:
型号描述：
MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN
文件规格书:
GS66516B-E01-MR
规格
产品属性
属性值
制造商：
GaN Systems
种类:
MOSFET
环保标志:
RoHS Compliant
产地:
封装:
包装:
客户还购买了
型号
型号描述
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GS66502B-E01-MR
MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor
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GS66502B-E01-TY
MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor
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GS66502B-EVBDB
Power Management IC Development Tools GS66502B Half Bridge Daughter Board
0
GS66502B-MR
MOSFET 650V, 7.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
0
GS66504B-E01-MR
MOSFET 650V, 15A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Bottom-side cooled
0
GS66504B-MR
MOSFET 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
0
GS66506T-E01-MR
MOSFET 650V, 22A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Top-side cooled
0
GS66506T-MR
MOSFET 650V, 22A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
0
GS66508B-E01-MR
MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
0
GS66508B-EVBDB1
电源管理 IC 开发工具 650V GaN Isolated Digital Driver Half Bridge Daughter Board feauturing the Analog Devices ADuM4121, a high voltage, isolated gate driver
0
无库存: 0
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交期（工作天）
起订量： 1 倍增量： 1
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¥297.666
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¥2880.06
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¥6868.95
250+
¥255.231
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172767-3006
集管和线壳 MiniFtSig 4.2mm Plg Hsg DR PMT 6Ckt GW
172762-1004
集管和线壳 MiniFtSig 4.2mm Plg Hsg DR 4Ckt GW
722-5/Q
高频/RF继电器
108173
相机及相机模块 The Basler a2A5320-7gmBAS GigE camera with the Sony IMX542 CMOS sensor delivers 7 frames per second at 161 MP Resolution
700A100JCA150XT
硅RF电容器 / 薄膜 150V 10pF Tol 5% Las Mkg
GW CSSRMU.CM-M2M9-XX38-1-700-R33
高功率 - 白色 White 2700K OSLON SQUARE UNIFORM
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LED照明驱动装置 I2C 5 V Constant Current LED Controller
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重型功率连接器 HD3 TAB CONTACT AU0.38 2L SIZE L/P
2316817-1
重型功率连接器 HD3 TAB CONTACT AU0.38 S SIZE L/P
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