SCT3030ARC14

型号：

SCT3030ARC14

制造商：

ROHM Semiconductor

客户编号:

型号描述：

MOSFET 650V N-CH SIC TRENCH

文件规格书:

SCT3030ARC14

规格

产品属性

属性值

Series：

Packaging：

Tube

Part Status：

Active

FET Type：

N-Channel

Technology：

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

650V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

70A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

39mOhm @ 27A, 18V

Vgs(th) (Max) @ Id：

5.6V @ 13.3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

104nC @ 18V

Vgs (Max)：

+22V, -4V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

1526pF @ 500V

FET Feature：

Power Dissipation (Max)：

262W

Operating Temperature：

175°C (TJ)

Mounting Type：

Through Hole

Supplier Device Package：

TO-247-4L

Package / Case：

TO-247-4

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型号

型号描述

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有库存: 110

库存

110

交期（工作天）

起订量： 1 倍增量： 1

数量：

单价：

$44.61

总价:

$44.610

数量

单价

总价

$44.61

10+

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